“国家队”攻克光刻机,中芯国际宣布:又一高端芯片有望年底试产

来源:金十数据

最新报道,在部分客户问及中芯国际N+1、N+2等先进工艺的芯片量产进展时,该司对此表示,第二代 FinFET N+1已进入客户导入阶段,预计有望在2020年底实现小批量试产。根据业界此前的说法,目前中芯国际全力“攻坚”的N+1、N+2工艺,将是对标台积电7nm芯片的重要业务。

今年3月,中芯国际正式对外界解开了其N+1、N+2工艺项目的“神秘面纱”。根据快科技的报道,中芯国际相关人士详细解释道,N+1其实是该司内部对该项目的“代称”,在性能上与台积电等推进的7nm工艺还存在一定距离,但就功耗、稳定性方面来说,N+1可以与7nm相媲美。

据此,业界认为中芯国际的N+1可以说成是“低配版”的7nm工艺,性能上类似于台积电、三星的10nm按照这家中国芯片制造商的想法,通过大力推进N+1项目,既可以令其暂时减轻远远落后于台积电的压力,也可以凭借“低成本”的巨大优势,率先拿下高端芯片市场的一部分份额。

要知道,自从美国发布新规之后,中芯国际就被外界视为华为“破局”的重要合作伙伴。今年年初 ,华为将14nm芯片订单交由中芯国际,而华为海思也一举成为其最大客户。9月15日当天,中芯国际也表示,该司已经向美国提交了申请,力争与华为的合作继续进行。

早在今年4月,中芯国际就完成了N+1工艺的客户介绍和产品认证步骤,流片阶段也于去年年末顺利完工。至于因美国方面干预而迟迟没有“到手”的EUV光刻机,中芯国际也表示,当前正在进行的N+1和N+2项目暂且用不到这个设备。

不过,中科院日前的一则举动,无疑将进一步缓解中芯国际“没有光刻机”以及“造不出高端芯片”的困境。9月16日当天,国家队选手——中科院释放出“重要信号”,接下来将跑步入场,聚焦关键的核心技术,解决我国光刻机、高端芯片等方面的生产难题。